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硅偏压通例光电探测器
项目描述
技术规格
客户案例
项目描述
OMTOOLS硅自由空间型带放大的光电探测器，由硅光电二极管+可调增益放大器集成封装而成。光活络领域从紫表到近红表，典型光谱领域覆盖190nm~1100nm。OMTOOLS带放大OMA系列光电探测器内置低噪声跨阻放大器或低噪声TIA后接电压放大器。
通用参数
工作温度
10~40℃
存储温度
-20~70℃
关键词:
硅偏压通例光电探测器
技术规格

OMDE10A2

波长领域
200~1100nm
光敏面尺寸
Φ1mm
上升功夫（50Ω）
1ns
3dB带宽（50Ω）
350MHz
NEP
50fW/Hz^(1/2)
暗电流
0.3nA
结电容
6pF
偏置电压
10V
输出电流
0~10mA
供电电池
A23,12VDC,40mAh
光学接口
SM1*1,SM0.5*1
信号接口
BNC母座
支杆接口
M4*2
光敏面深度
2.2mm
工作温度
10~40℃
存储温度
-20~70℃
表观尺寸
70.9*49.8*22.5mm
探测器净沉
0.10kg

 

OMDE36A2

波长领域
350~1100nm
光敏面尺寸
Φ3.6mm
上升功夫（50Ω）
14ns
3dB带宽（50Ω）
25MHz
NEP
16fW/Hz^(1/2)
暗电流
0.35nA
结电容
40pF
偏置电压
10V
输出电流
0~10mA
供电电池
A23,12VDC,40mAh
光学接口
SM1*1,SM0.5*1
信号接口
BNC母座
支杆接口
M4*2
光敏面深度
2.2mm
工作温度
10~40℃
存储温度
-20~70℃
表观尺寸
70.9*49.8*22.5mm
探测器净沉
0.10kg

 

OMDE100A2

波长领域
320~1100nm
光敏面尺寸
Φ10mm
上升功夫（50Ω）
35ns
3dB带宽（50Ω）
10MHz
NEP
24fW/Hz^(1/2)
暗电流
0.9nA
结电容
150pF
偏置电压
10V
输出电流
0~10mA
供电电池
A23,12VDC,40mAh
光学接口
SM1*1,SM0.5*1
信号接口
BNC母座
支杆接口
M4*2
光敏面深度
3.3mm
工作温度
10~40℃
存储温度
-20~70℃
表观尺寸
70.9*49.8*22.5mm
探测器净沉
0.10kg
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